ST Microelectronics – 800V MOSFET系列在开关电源转换应用中提供低导通电阻 

意法半导体的STx7N80K5是一系列800V N沟道功率MOSFET，可帮助设计人员在开关电源中实现高效转换器电路。

该高压MOSFET系列利用了意法半导体的MDmesh? K5工艺技术，该技术基于创新的专有垂直结构。该制造技术生产的器件具有非常低的导通电阻和超低的栅极电荷。这些MOSFET提供具有竞争力的导通电阻和电路板占位面积，适用于要求高功率密度和效率的应用。

因此其应用主要有：开关电源

在STx7N80K5系列中，最大导通电阻的额定值为1.2Ω。该器件可以处理6A的最大连续漏极电流，在110°C的外壳温度下功耗为110W。

STx7N80K5系列特性主要表现为：

1）4V栅极阈值电压

2）100％雪崩测试

3）齐纳保护

在640V电压、6A漏极电流时，总栅极电荷的额定值为13.4nC。

该800V系列有三款器件：

1）采用表面贴装DPAK封装的STD7N80K5

2）采用带插片TO-220通孔封装的STP7N80K5

3）采用IPAK通孔封装的STU7N80K5

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