Vishay – 60V MOSFET有助于降低DC-DC转换应用中的传导损耗 

Vishay的SiR626DP是一款60V MOSFET，适用于在整个负载范围内都必须达到高效率基准的DC-DC转换应用。该器件的峰值效率比同类竞争产品高出15％。

SiR626DP是Vishay新推出的第四代trench MOSFET的一款产品，导通电阻值比上一代低40％左右，可以降低导通损耗。

SiR626DP主要应用于以下方面：

1）同步整流

2）在24V电源总线上运行的系统

3）电机控制系统

4）DC-DC转换器

5）太阳能微型逆变器

6）电动工具

7）工业设备

这意味着上一代Vishay MOSFET的用户能够以最少的电路返工来提高其系统设计的效率和性能。

其特性表现为：

1）超低导通电阻x栅极电荷品质因数

2）在10V的栅-源电压下，最大导通电阻为1.7mΩ

3）52nC的典型栅极电荷

4）在25℃的外壳温度下具有100A的最大连续漏极电流

5）结温范围：-55°C至150°C

6）1.2°C/W的结至外壳最大热阻

由于采用了 PowerPAK? SO-8 封装，SiR626DP还改进了互连设计，内部连接也得到改善，可以使电阻更低。这种具有超低寄生电感的低电阻封装设计有助于最大限度地提高硅的性能，并降低传导损耗和工作温度。

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